روزنامه اقتصادی سئول روز یکشنبه گزارش داد که شرکت سامسونگ الکترونیکس (Samsung Electronics) برای تولید دای‌های پایه (Base Dies) در تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا (HBM) اختصاصی و نسل جدید شرکت انویدیا (Nvidia)، از فناوری فرآیند ۳ نانومتری شرکت TSMC استفاده خواهد کرد.
به گزارش واضح به نقل از Reuters، این اقدام طبق گزارش‌های منتشرشده، نخستین باری خواهد بود که سامسونگ در مرحله ساخت و تولید تراشه‌های حافظه HBM با این تراشه‌ساز قراردادی تایوانی همکاری می‌کند.
جزئیات سفارش انویدیا به غول‌های سازنده تراشه حافظهروزنامه اقتصادی سئول به نقل از منابع آگاه در صنعت تراشه‌سازی گزارش داده است که انویدیا از شرکت‌های سامسونگ، اس‌کی هاینیکس (SK Hynix) و میکرون تکنولوژی (Micron Technology) خواسته است تا برای دای‌های پایه تراشه‌های NVHBM از فرآیند تولید شرکت TSMC و برای دای‌های اصلی (Core Dies) از فناوری DRAM نسل ششم استفاده کنند.
تراشه‌های NVHBM که در ماه اوت رونمایی شدند، کنترلر حافظه اختصاصی انویدیا را در دای پایه ادغام می‌کنند. به گفته انویدیا، هدف از این اقدام استانداردسازی پیاده‌سازی این فناوری در میان تامین‌کنندگان مختلف تراشه حافظه است.
استراتژی سامسونگ و احتمال استفاده از ریخته‌گری اختصاصیبر اساس گزارش روزنامه اقتصادی سئول، سامسونگ پس از بررسی‌های داخلی، الزامات و استانداردهای انویدیا را پذیرفته است؛ اما برنامه‌ریزی کرده که مدل تولید داخلی خود را برای تراشه‌های HBM استاندارد و محصولات سفارشی سایر مشتریان حفظ کند.
این روزنامه همچنین به نقل از یک منبع آگاه که نامش فاش نشده آورده است، سامسونگ در حال ارزیابی این موضوع است که در صورت فراتر رفتن تقاضا از ظرفیت تولید TSMC، آیا بخش ریخته‌گری (Foundry) خود این شرکت می‌تواند دای‌های پایه NVHBM را تولید کند یا خیر.
